coolsic mosfet 文章最新資訊

英飛凌推出針對(duì)工業(yè)與消費(fèi)類應(yīng)用優(yōu)化的OptiMOS? 7功率MOSFET

各行業(yè)高功耗應(yīng)用的快速增長對(duì)功率電子技術(shù)提出了更高的要求，包括功率密度、效率和可靠性等。分立式功率MOSFET在這方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用，而針對(duì)應(yīng)用優(yōu)化的設(shè)計(jì)思路為進(jìn)一步提升已高度成熟的MOSFET技術(shù)帶來了新的可能性。通過采用這種以具體應(yīng)用場景為核心的設(shè)計(jì)理念，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出適用于工業(yè)與消費(fèi)市場的OptiMOS? 7功率MOSFET系列，進(jìn)一步擴(kuò)展其現(xiàn)有的OptiMOS? 7汽車應(yīng)用產(chǎn)品組合。新OptiMOS
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英飛凌推出采用TO-247PLUS-4回流焊封裝的CoolSiC? MOSFET 1400V G2系列

電動(dòng)汽車充電、電池儲(chǔ)能系統(tǒng)，以及商用、工程和農(nóng)用車輛（CAV）等大功率應(yīng)用場景，正推動(dòng)市場對(duì)更高系統(tǒng)級(jí)功率密度與效率的需求，以滿足日益提升的性能預(yù)期。同時(shí)，這些需求也帶來了新的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，例如，如何在嚴(yán)苛環(huán)境條件下實(shí)現(xiàn)可靠運(yùn)行、在應(yīng)對(duì)瞬態(tài)過載時(shí)如何保持穩(wěn)定性，以及如何優(yōu)化整體系統(tǒng)性能。為應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司近日推出采用TO-247PLUS-4回流焊封裝的CoolSiC? MOSFET 1400V G2系列。該器件支持更高的直流母線電壓，可實(shí)現(xiàn)更優(yōu)異的熱性能、
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體積更小且支持大功率！ROHM開始量產(chǎn)TOLL封裝的SiC MOSFET

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，已開始量產(chǎn)TOLL（TO-LeadLess）封裝的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列產(chǎn)品。與同等耐壓和導(dǎo)通電阻的以往封裝產(chǎn)品（TO-263-7L）相比，其散熱性提升約39%，雖然體型小且薄，卻能支持大功率。該產(chǎn)品非常適用于功率密度日益提高的服務(wù)器電源、ESS（儲(chǔ)能系統(tǒng)）以及要求扁平化設(shè)計(jì)的薄型電源等工業(yè)設(shè)備。與以往封裝產(chǎn)品相比，新產(chǎn)品的體積更小更薄，器件面積削減了約26%，厚度減半，僅為2.3mm。另外，很多TOLL封裝的普通產(chǎn)品的
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韓國在釜山啟動(dòng)首個(gè)8英寸碳化硅工廠，年產(chǎn)量預(yù)計(jì)達(dá)3萬片晶圓

碳化硅（SiC）在耐高溫、耐電壓和電力效率方面優(yōu)于傳統(tǒng)硅，全球領(lǐng)導(dǎo)者如英飛凌和 Wolfspeed 正在爭先。現(xiàn)在，韓國也加大了力度——Maeil 商業(yè)報(bào)紙報(bào)道，釜山已開啟了韓國首個(gè) 8 英寸碳化硅功率半導(dǎo)體工廠。據(jù)報(bào)道，釜山廣域市政府于 17 日宣布，EYEQ Lab 在釜山吉昌完成了其新的總部和生產(chǎn)設(shè)施。該工廠投資了 1000 億韓元，使韓國首次能夠完全本土化生產(chǎn) 8 英寸碳化硅功率半導(dǎo)體。如《韓國先驅(qū)報(bào)》所強(qiáng)調(diào)，釜山廣域市政府將項(xiàng)目的完成視為一個(gè)關(guān)鍵里程碑，旨在提升國內(nèi)8英寸碳化硅功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)并
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iDEAL推出具有行業(yè)領(lǐng)先性價(jià)比的200 V SuperQ? MOSFET系列

?iDEAL半導(dǎo)體近日宣布，其200 V SuperQ? MOSFET系列中的首款產(chǎn)品已進(jìn)入量產(chǎn)階段，另外四款200 V器件現(xiàn)已提供樣品。SuperQ是硅MOSFET技術(shù)在超過25年來的首次重大進(jìn)步，突破了長期存在的開關(guān)和導(dǎo)通限制。它在性能和效率方面實(shí)現(xiàn)了階躍式提升，同時(shí)保留了硅的核心優(yōu)勢：堅(jiān)固性、高產(chǎn)量制造能力，以及在175 °C下的可靠表現(xiàn)。首款進(jìn)入量產(chǎn)的200 V器件是iS20M028S1P，這是一款25 mΩ的MOSFET，采用TO-220封裝。iDEAL的最低電阻200 V器件現(xiàn)已在T
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英飛凌OptiMOS? 6產(chǎn)品組合新增TOLL、TOLG和TOLT封裝的150V MOSFET

隨著全球汽車行業(yè)電氣化進(jìn)程的加速，市場對(duì)高效、緊湊且可靠的功率系統(tǒng)的需求持續(xù)增長——不僅乘用車領(lǐng)域如此，電動(dòng)兩輪車領(lǐng)域亦是如此。這些車輛需要特殊的系統(tǒng)支持，例如xEV上的高壓-低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器和電動(dòng)兩輪車上的牽引逆變器。此類系統(tǒng)必須在滿足高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的同時(shí)，能夠應(yīng)對(duì)技術(shù)、商業(yè)和制造方面的多重挑戰(zhàn)。為滿足上述需求，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司近日宣布擴(kuò)展其OptiMOS? 6產(chǎn)品組合，推出新型車規(guī)級(jí)150V MOSFET產(chǎn)品系列。新產(chǎn)品專為滿足現(xiàn)代電動(dòng)汽車的嚴(yán)苛要求量身打造，并
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iDEAL 半導(dǎo)體宣布推出基于 SuperQ?的 200V MOSFET 系列，具有行業(yè)領(lǐng)先的成本×性能

iDEAL 半導(dǎo)體宣布其首批基于 SuperQ?的 200V MOSFET 已進(jìn)入量產(chǎn)階段，另外還有四個(gè) 200V 器件正在進(jìn)行樣品測試。SuperQ 是過去 25 年來硅 MOSFET 技術(shù)的第一個(gè)重大進(jìn)步，突破了長期存在的開關(guān)和導(dǎo)通限制。它在提供性能和效率飛躍的同時(shí)，保留了硅的核心優(yōu)勢：堅(jiān)固性、大規(guī)模可制造性和在 175°C 下經(jīng)過驗(yàn)證的可靠性。首個(gè)進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn)的 200 V 器件 iS20M028S1P 是一款 TO-220 封裝的 25 mΩ MOSFET。iDEAL 的最低電阻 200 V 器
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東芝推出采用TOLL封裝的第3代650V SiC MOSFET

中國上海，2025年8月28日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產(chǎn)品配備其最新[1]第3代SiC MOSFET芯片，并采用表面貼裝TOLL封裝，適用于開關(guān)電源、光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設(shè)備。三款器件于今日開始支持批量出貨。三款新產(chǎn)品是東芝第3代SiC MOSFET，采用通用表面貼裝TOLL封裝，與TO-247和TO-247-4L(X)
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SiC MOSFET 界面陷阱檢測升級(jí)：Force-I QSCV 方法詳解

電容-電壓 (C-V) 測量廣泛用于半導(dǎo)體材料和器件表征，可提取氧化物電荷、界面陷阱、摻雜分布、平帶電壓等關(guān)鍵參數(shù)。傳統(tǒng)基于 SMU 施加電壓并測量電流的準(zhǔn)靜態(tài)方法適用于硅 MOS，但在?SiC MOS 器件上因電容更大易導(dǎo)致結(jié)果不穩(wěn)定。為解決這一問題，Keithley 4200A-SCS 引入?Force-I QSCV 技術(shù)，通過施加電流并測量電壓與時(shí)間來推導(dǎo)電容，獲得更穩(wěn)定可靠的數(shù)據(jù)。Force-I QSCV 技術(shù)在 SiC 功率 MOS 器件上體現(xiàn)出多項(xiàng)優(yōu)勢。比如僅需 1 臺(tái)帶前
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1200V全垂直硅基氮化鎵MOSFET

山東大學(xué)和華為技術(shù)有限公司在中國使用氟（F）離子注入端接（FIT）在全垂直氮化鎵（GaN）硅基硅（Si）溝槽金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）中實(shí)現(xiàn)了1200V擊穿性能[Yuchuan 馬等人，IEEE Electron Device Letters，2025年7月8日在線發(fā)表]。通常，臺(tái)面蝕刻端接（MET）用于電隔離 GaN 半導(dǎo)體器件。然而，這會(huì)導(dǎo)致相對(duì)尖銳的拐角，電場往往會(huì)擁擠，導(dǎo)致過早擊穿。MET-MOS全垂直MOSFET的擊穿電壓約為650V。功率氮化鎵器件正在與碳化硅（SiC）
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英飛凌推出采用Q-DPAK封裝的CoolSiC? MOSFET 1200V G2

全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司近日推出了采用頂部散熱（TSC）Q-DPAK封裝的CoolSiC? MOSFET 1200 V G2。這款新型半導(dǎo)體器件能夠提供更加出色的熱性能、系統(tǒng)效率和功率密度，專為應(yīng)對(duì)工業(yè)應(yīng)用的高性能和高可靠性要求而設(shè)計(jì)，例如電動(dòng)汽車充電機(jī)、光伏逆變器、不間斷電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和固態(tài)斷路器等。采用Q-DPAK封裝的CoolSiC??MOSFET 1200V G2這款CoolSiC 1200 V G2所采用的技術(shù)相較于上一代產(chǎn)品有顯著的提升，可在導(dǎo)通電阻（
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iDEAL與電力系統(tǒng)專家Richardson Electronics, Ltd.簽署SuperQ MOSFET技術(shù)合作伙伴協(xié)議

繼推出首批基于 SuperQ 的芯片之后，此舉標(biāo)志著自 25 多年前超級(jí)結(jié)技術(shù)以來，硅 MOSFET 架構(gòu)的首次重大進(jìn)步。賓夕法尼亞州里海谷，2025 年 7 月 31 日 – iDEAL Semiconductor 是一家專注于實(shí)現(xiàn)突破性效率的無晶圓廠功率半導(dǎo)體公司，該公司宣布將與電力和射頻專家 Richardson Electronics 合作。根據(jù)該協(xié)議，iDEAL 將獲得 Richardson Electronics 的設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)和銷售專家的支持，以擴(kuò)展其基于公司新型專利、最先進(jìn) SuperQ 技術(shù)
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固態(tài)隔離器如何與MOSFET或IGBT結(jié)合以優(yōu)化SSR？

固態(tài)繼電器（SSR）是各種控制和電源開關(guān)應(yīng)用中的關(guān)鍵組件，涵蓋白色家電、供暖、通風(fēng)和空調(diào) （HVAC）設(shè)備、工業(yè)過程控制、航空航天和醫(yī)療系統(tǒng)。固態(tài)隔離器利用無芯變壓器技術(shù)在 SSR 的高壓側(cè)和低壓側(cè)之間提供隔離?；?CT 的固態(tài)隔離器（SSI）包括發(fā)射器、模塊化部分和接收器或解調(diào)器部分。每個(gè)部分包含一個(gè)線圈，兩個(gè)線圈由二氧化硅（SiO2）介電隔離柵隔開（圖 1）。磁耦合用于在兩個(gè)線圈之間傳輸信號(hào)。該技術(shù)與標(biāo)準(zhǔn)CMOS處理兼容，可用于分立隔離器或集成柵極驅(qū)動(dòng)器IC。圖 1.分立 SSI 中使
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iDEAL的SuperQ技術(shù)正式量產(chǎn)，推出150V與200V MOSFET

iDEAL Semiconductor的SuperQ?技術(shù)現(xiàn)已全面量產(chǎn)，首款產(chǎn)品為150V MOSFET。同時(shí)，一系列200V MOSFET產(chǎn)品也已進(jìn)入送樣階段。SuperQ是過去25年來硅基MOSFET設(shè)計(jì)領(lǐng)域的首次重大突破，在硅功率器件中實(shí)現(xiàn)了前所未有的性能與效率提升。該架構(gòu)突破了硅材料在導(dǎo)通與開關(guān)方面的物理瓶頸，將n型導(dǎo)電區(qū)域擴(kuò)大至高達(dá)95%，并將開關(guān)損耗較競爭產(chǎn)品降低高達(dá)2.1倍。該結(jié)構(gòu)不僅改善了器件的電阻與功率損耗，同時(shí)保留了硅材料的諸多優(yōu)勢，包括高強(qiáng)度、量產(chǎn)能力強(qiáng)以及在175°C結(jié)溫下的可靠性
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選型必看！MOSFET四大非理想?yún)?shù)詳解

幾乎所有的書籍資料，在講解MOSFET的時(shí)候，都喜歡先從微觀結(jié)構(gòu)去分析MOSFET基于半導(dǎo)體特性的各種結(jié)構(gòu)，然后闡述這些結(jié)構(gòu)導(dǎo)致其參數(shù)的成因。但是這種方式對(duì)于物理基礎(chǔ)較弱的應(yīng)用型硬件工程師是非常不友好的，導(dǎo)致大家看了大量的表述沒有理解，沒有汲取到營養(yǎng)。各種三維、二維的圖形，各式各樣，也不統(tǒng)一。本章節(jié)，我們從應(yīng)用的角度，來看我們選擇一個(gè)開關(guān)的器件，當(dāng)選擇了一個(gè)MOSFET之后，他并不是一個(gè)完全理想的開關(guān)器件。通過其不理想的地方，理解他的一些關(guān)鍵參數(shù)。后續(xù)的內(nèi)容，我們再通過微觀結(jié)構(gòu)去理解一下導(dǎo)致這些參數(shù)的原因
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